램 종류와 특징, 업그레이드

램 종류와 특징, 업그레이드

윈도우에서 램은 작업공간으로서 중요한 역할을 하며, 윈도우의 성능과도 밀접하게 연관이 있습니다. 작업하는 내용에 따라 충분한 램을 확보하는 일은 작업의 효율성을 높일 수 있는 지름길입니다.

** 램 구입할 때 확인해야 하는 사항 **

1. 기존의 램이 장착된 메인보드에 빈 슬롯이 있는지 확인합니다. 빈 슬롯이 있다면, 기존의 램과 동일한 램(용량, 속도, 제조회사 등)으로 업그레이드하는 것이 문제를 최소화할 수 있습니다. 빈 슬롯이 없거나, 빈 슬롯이 부족한 경우는 기존 램을 사용하고서는 업그레이드를 할 수 없습니다. 아래의 램의 종류와 특성을 참고하여 적당한 램으로 구입하시기 바랍니다.

2. 정품인지 비품인 확인하세요. 비품 램은 램에 적힌 제조회사 표시가 정품과 비교해 뚜렷하지 못합니다. 비품인 경우는 A/S나 추가 업그레이드시에 문제가 발생할 수 있습니다.

** 램 업그레이드 **

1. 램을 장착하는 방법은 램의 종류와 특성의 설명을 참고하세요.

2. 램이 장착되면 컴퓨터를 켜고 바이오스 셋업에서 다음 사항을 수정하세요. 아래는
   설명은 Award BIOS인 경우입니다. AMI인 경우는 Quick Boot 항목입니다.

(1) 컴퓨터를 켜고 Del 키를 누릅니다.

(2) 셋업 초기 화면에서 BIOS FEATURES SETUP을 선택합니다.

(3) Quick Power On Self Test 항목을 Disabled 로 설정해 주세요. 램 용량이 정확하게
     인식되고 나서, 다시 Enabled로 설정하면 됩니다.

(4) Esc 키를 누릅니다.

(5) SAVE & EXIT SETUP을 선택합니다.

(6) Y 를 누르고 엔터를 칩니다.

(7) 컴퓨터가 재부팅되면서 자동으로 램 용량을 바로 잡습니다.

3. 램을 업그레이드한 후, 윈도우를 재설치하시기를 권장합니다. 왜냐하면, 기존에 설치된 윈도우는 작은 용량의 메모리에 맞춰 설치된 시스템 파일이기 때문입니다.

** 램의 종류와 특성 **

아래의 메모리 설명은 하드웨어만 고려한 것입니다.

1. 사용되는 곳에 따른 분류

(1) 롬바이오스(ROM BIOS): PROM, EPROM, EEPROM, Flash RAM 등. 요즈음은 바이오스의
     기능 향상이나 수정을 위해 EPROM/EEPROM과 같이 데이타 수정이 가능한 ROM을 사용
     합니다. 예를 들면, 메인보드가 대용량 하드디스크를 지원하지 않는 경우에 바이오스
     업그레이드를 고려해 볼만 합니다. 보물창고->각종 드라이버->각종 바이오스
     업데이트.

(2) 메인 메모리: FPM DRAM, EDO RAM, SDRAM, RDRAM, DRDRAM 등.

(3) 외부 캐시(L2 캐시) 메모리: SRAM, Burst SRAM, Pipelined Burst SRAM 등.

(4) 비디오 메모리: EDO RAM, VRAM, WRAM 등.

2. 형태에 따른 분류

(1) DIP: 메모리를 소켓에 하나씩 설치합니다. 예전의 286용 메인보드 이전에 주로 사용
          하던 방식입니다. 그래픽 카드의 비디오 메모리에서는 아직까지도 이런 방식이
          사용되기도 합니다.

(2) SIMM(Single Inline Memory Mode): 막대형 기판에 램을 장착하고, 메인보드 슬롯에
     기판을 꽂는 형태입니다. 보통 기판의 한쪽 면만 사용합니다. 설치시에 기판을 약간
     기울어진 상태로 슬롯에 끼운 다음, 똑바로 세우면 딸칵 소리가 납니다. 30핀, 72핀,
     168핀 등이 있습니다.

(3) DIMM(Double Inline Memory Mode): 막대형 기판에 램을 장착하고, 메인보드 슬롯에
     기판을 꽂는 형태입니다. 기판의 양쪽 면을 모두 사용합니다. 설치시에 기판을 위에서
     아래로 똑바로 딸칵 소리가 날 때까지 끼웁니다. 그리고 슬롯 양쪽의 고정대를 위로
     젖힙니다. 144핀, 168핀 등이 있습니다. 144핀은 주로 노트북에서 사용되고, 168핀은
     데스크탑에서 사용됩니다.

3. ROM(Read Only Memory)별 특성

(1) Mask ROM: 제조과정에서 ROM에 자료가 기록됩니다.

(2) PROM(Programmable ROM): 단 한번만 기록할 수 있는 롬입니다.

(3) EPROM(Erasable Programmable ROM): 기록한 자료를 수정할 수 있는 롬입니다. 하지만
     자외선을 사용하기 때문에 속도면에서 RAM 과는 비교가 되지 않습니다.

(4) EEPROM(Electrical Erasable Programmable ROM): 전기 신호를 사용하여 자룔를 기록
     하고 수정할 수 있는 램입니다. 속도면에서 EPROM보다 개선되었지만, 기록 횟수가
     한정되어 있습니다.

(5) Flash Memory: 플래시 메모리는 전기신호에 의해 읽고 쓰기가 가능한 EEPROM을 변형한
     것입니다. 전원 공급이 없어도 기록된 내용을 보존하는 ROM의 특성과 기록된 내용을
     자유롭게 수정할 수 있는 RAM의 특성을 가지고 있습니다. 하지만, 속도가 RAM이나      EEPROM에 비해 무척 느립니다. 롬바이오스가 소켓 형태를 띠는 것은 EEPROM 이며,
     칩의 형태를 띠는 것은 플래시 메모리입니다.

4. RAM(Random Access Memory)별 특성

*램의 속도 단위는 나노초(ns, 1/10억 초)입니다.
(1) FP(Fast Page Mode) DRAM: 페이지(16KB) 단위로 데이터를 입출력합니다. 3 사이클을
     작동주기로 하며, 데이터 입출력을 동시에 할 수는 없습니다. 보통 효율적으로 대처할
     수 있는 CPU의 최고 클럭 속도는 33MHz 정도이며, 작동속도는 70-80ns 정도입니다.
     486 이전의 CPU에서 30핀 SIMM, 72핀 SIMM 형태로 메인보드에 설치되었습니다.

(2) EDO(Exchange Data Output) DRAM: 기본 구조는 FP DRAM가 비슷하면, 작동주기가 2
     사이클입니다. 2 사이클의 작동 주기를 지원하는 인텔 82430FX PCI 칩셋(칩셋에
     대해서는 아카데믹 광장->윈도사 메모->'마더보드 사양에 나타난 인텔 칩셋이 의미
     하는 것은?'을 참고하세요.) 이상을 사용한 메인보드에서 EDO DRAM을 사용할 수
     있습니다. 보통 효율적으로 대처할 수 있는 CPU의 최고 클럭 속도는 66MHz 정도이며,
     50-70ns 작동 속도를 보입니다. 보통 72핀 SIMM 형태입니다.

(3) SDRAM(Sunchronous DRAM): FP DRAM이나 EDO DRAM과 빠른 CPU간의 병목 현상을 줄이기
     위해 등장하였습니다. SDRAM은 시스템 클럭과 동기화 되어 작동하는데, 66MHz와
     100MHz로 동작합니다. 66MHz로 동작하는 SDRAM에서 시스템 클럭을 75MHz로 높이면
     SDRAM의 속도가 빨라집니다. 하지만, 정상적으로 동작하지 않는 경우도 있습니다.
     SDRAM은 자료의 송신과 수신이 동시에 발생합니다. 즉 1 사이클이 작동주기입니다.
     인텔 82430VX PCI 칩셋 이상을 사용한 메인보드에서 사용할 수 있습니다.
     100MHz 이상의 CPU에서도 어느 정도 병목 현상을 완화할 수 있습니다. 10-12ns(최고
     6ns) 작동 속도를 보입니다. 보통 168핀 DIMM 형태입니다.

(4) PC-100 SDRAM: 인텔 계열의 CPU에서 RAM과 CPU간의 병목 현상으로 클럭속도를 실제
     작동 속도가 100MHz 이상이더라도 클럭 더블링 기술을 이용하여 최대 66MHz로 유지해
     왔습니다. 인텔의 PC-100 시스템의 권장사항에 따르면 Clock Period (Cycle Time)
     과 Access Time은 같지 않아야 되며, PC-100 SDRAM은 적어도 6ns 액세스타임을 만족
     시켜야 하며, 적어도 8ns Clock Period/Cycle Time을 가지는 램을 사용해야 합니다.
     이러한 조건을 충족시키기 위해 사용하는 메모리가 앞서 (3)에서 이야기한 100MHz로
     동작하는 64Bit SDRAM입니다. 현재 국내에서 유통되는 램의 경우 PC100 램은
     8-10ns가 보통입니다.

(5) Rambus DRAM: 미국 램버스사에서 발표한 기존 DRAM과는 전혀 다른 구조 를 가진
     메모리로, 램버스 채널이라는 전용 자료 입출력 통로가 있습니다. 보통 600MHz로
     작동하며, 5ns 정도의 작동 속도를 보입니다.

(6) Direct Rambus DRAM: 기존 램버스 DRAM과 같은 방식으로 800MHz로 작동하며, 1-2ns
     정도의 작동 속도를 보입니다.

(7) Double Data Rate SDRAM: 1 개의 자료 전송 통로를 가지고 있는 기존 SDRAM을 개선한
     메모리로, 2 개의 자료 전송 통로를 가지고 있습니다. 이론상 기존 SDRAM에 비해
     2배의 전송 속도를 가지고 있습니다.

(8) VRAM: 디스플레이 어탭터의 프레임 버퍼는 입출력을 동시에 합니다. 하지만, 일반
     DRAM은 입출력을 동시에 할 수 없습니다. 이러한 동시 입출력을 지원하기 위해 등장한
     듀얼 셀 구조의 비디오 램입니다.

(9) WRAM: VRAM과 구조는 비슷하지만, 속도가 개선된 윈도우램입니다.

(10) SGRAM(Synchronous Graphic RAM): 3D 그래픽 카드의 빠른 입출력을 지원하기 위해
      사용됩니다. 기본 구조는 SDRAM과 비슷하며, 125MHz와 143MHz로 작동하며, 6-8ns
      작동 속도를 냅니다